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AI芯片路线图：3张图表和7大影把坤放进欧派会怎么样响

格隆汇7月4日丨

　　来源：硬A把坤放进欧派会怎么样I　　作者：李笑寅　　Bernstein认为，随着AI芯片加速迭代，英伟达相较于其他厂商的领先优势将进一步扩大，台积电的先进封装优势料将延续，ASIC芯片市场有望扩张。　　隔夜美股市场，半导体巨头$台积电(TSM.US)$盘中市值站上1万亿美元，台股股价也在周一创下历史新高，显示市场对高端芯片尤其是AI芯片的需求依然旺盛。　　7月8日，投行Bernstein分析师MarkLi、StacyA.Rasgon等人发布研报，总结了到2027年的AI芯片技术变革路线图，并就设计架构、晶圆节点、HBM和高级封装这四个领域进行了分析，并讨论了其可能带来的影响。　　AI芯片加速迭代，英伟达或成最大赢家　　Bernstein认为，AI芯片将加速发展，尤其是$英伟达(NVDA.US)$已经将迭代速度加快到“一年一更”。　　技术路线图一显示，　　此外，英伟达HBM从8hi/192GB升级到12hi/288GB的更新将在6个月内完成。　　相比之下，$美国超微公司(AMD.US)$的步伐要稍慢一些：MI325X约比MI300X晚一年推出，并且只会升级内存；到2025年，MI350X将主要升级到N3节点，但内存和容量保持不变，仍为HBM3E288GB。　　报告指出，这将带来第一个影响：　　技术路线图三显示，为了进一步推动数据传输的发展，HBM4可能会开始提供基础芯片基础上的客户定制服务，由于其基础裸片（逻辑裸片）定制化需要更长的生产周期，因此在HBM内部进行逻辑和存储的整合或许会成为一大趋势。　　台积电的先进封装优势料将延续　　报告指出，台积电的技术优势仍将延续下去，从CoWoS-S发展到CoWoS-L。　　据悉，CoWoS-S整个中间件都使用硅，而CoWoS-L仅在密集金属线穿过的区域使用硅作为“桥梁”，其余部分则用模塑化合物代替。　　报告预计，　　第四，希望三星能及时跟上HBM3E的步伐。目前，三星尚未宣布其HBM3E的认证，特别是获得英伟达的认证。　　报告认为，尽管三星在HBM3E的起步较晚，但HBM3E的窗口期仍将为三星提供追赶的机会。英伟达在2025年的几乎所有芯片以及2026年其他厂商的芯片，很可能仍将使用HBM3E。　　键合技术需求前景乐观、ASIC市场扩张　　随着节点过渡的持续，报告预计，AI将使N2成为一个“超级节点”，但这低估了产量和成本负担——随着水平扩大，先进封装奖变得越来越困难——这使得键合技术、尤其是混合键合技术，在垂直堆叠领域中变得至关重要。　　第六，　　报告认为，三星拥有晶圆和面板，并正试图通过PLP创造领先优势，在这方面应该比英特尔和台积电更有优势。　　最后，　　报告表示，受市场增长的吸引，许多公司正在进入ASIC（高性能专用集成电路）芯片领域，因其硬件规格更为简单，同时在工作效率和成本上也具有优势，被视作GPU可行的替代品，包括$亚马逊(AMZN.US)$、微软、Meta在内的科技巨头都在开发ASIC芯片。　　不过，由于ASIC芯片的受众大多是互联网公司或过去没有太多经验的公司，他们需要ASIC服务供应商帮助开发定制芯片。　　报告指出，目前博通在这一领域明显处于领先地位，其收入高达数十亿美元，客户包括$谷歌-A(GOOGL.US)$/$谷歌-C(GOOG.US)$、Meta等，此外，因在SerDesIP和先进节点封装方面技术能力较强，联发科也具备一定竞争力。